长鑫存储取得晶圆结构切割方法及芯片专利，芯片间距减小，从而布置更多芯片
2024-03-27 19:34:42
来源：
金融界
2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶圆结构、晶圆结构切割方法及芯片“，授权公告号CN107680937B，申请日期为2017年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种晶圆结构、晶圆结构切割方法及芯片，晶圆结构包括晶圆本体，晶圆本体具有主动表面，芯片设置在晶圆本体中；主动表面包括第一周边区域，第一焊垫排列于每个芯片的安装面，第二焊垫排列于第一周边区域；每个芯片更具有一外凸结构，在外凸结构上的第二焊垫与相邻芯片的第一焊垫相邻近。切割方法包括规划切割路径，切割路径位于第一周边区域的第一间隙中；沿切割路径切割晶圆，获得芯片。芯片包括安装面以及外凸结构，外凸结构位于安装面具有第一焊垫位置处一侧，外凸结构上设置第二焊垫。本发明采用等离子切割，芯片间距减小，从而布置更多芯片，第一周边区域上的第二焊垫能够扩展相邻芯片的接口数量。
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