6月22日至23日，由芯谋研究主办的第三届IC NANSHA大会在广州南沙召开。《每日经济新闻》记者现场参会获悉，该大会吸引了300多位半导体领域的政、产、学、研界代表前来参会，包括高通（QCOM）、恩智浦（NXPI）半导体等国际企业代表，以及工业富联（601138）等国内头部企业的代表等。

22日，中国集成电路创新联盟秘书长叶甜春出席大会并致辞表示，中国的集成电路产业的发展要进入新的阶段，实现自立自强，打造自身的新质生产力。接下来，半导体产业不仅要在装备、材料上继续攻关，还要做路径创新，摆脱当年全球化体系下的路径依赖，开辟自己的发展空间。

在他看来，国内半导体行业的重点战略任务之一是：基于成熟制程，通过应用创新做出高端产品。此外，行业还要开辟创新发展路径。先进制程上，除了现有的晶体硅、FinFET（Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管）的路径外，基于FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）、平面制程的先进制程路径也要开辟出来。FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）和平面制程并不是全新的路径，此前国际上已经存在，但叶甜春认为，这一条“特色小路”。

“我们有这种迫切的需求和压力去把这条‘特色小路’开辟成发展的主赛道之一。”叶甜春说。

他还认为，半导体产业不能只在单芯片的集成上做文章，还要在三维异质异构这个微系统集成上做文章，这也属于路径创新范畴。不过他同时也强调，半导体产业的路径创新，不只是技术创新的问题，需要一整套“组合拳”打下去才能够实现，包括设计产业模式的创新、设计产业集群的打造、产业生态的构建、相应产业政策跟进，以及行业企业共同努力等等。