【大河财立方记者吴春波】10月24日，作为2025半导体材料产业发展(郑州)大会暨中国电子材料行业协会半导体材料分会年会的重要分论坛之一，第三代半导体材料专题会在郑州高新假日酒店正式举行，来自中国科学院、复旦大学、中国电科行业专家、企业代表百余人汇聚在此，聚焦碳化硅技术创新和应用，分享行业新趋势及创新经验。

　　“当前，在第三代半导体领域，碳化硅半导体从6英寸向8英寸快速切换的趋势增强，12英寸开始验证落地。”复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所执行所长陈东坡介绍，目前全球有29家企业突破8英寸SiC研发，中国厂商超过19家，部分实现小批量出货。

　　“2024年到2025年，不少下游外延和芯片企业也加大力度布局8英寸SiC产线，以获得先发优势。”陈东坡介绍，目前复旦大学宽禁带半导体所打造了研发、中试与产业化工艺能力，覆盖宽禁带与超宽禁带半导体器件制备、封装测试全链条，可为我国宽禁带及超宽禁带产业发展提供全方位“自主可控”核心支撑。

　　聚焦碳化硅外延技术，中国电科十三所基础研究部质量主管、高级工程师芦伟立从应用场景出发介绍了碳化硅同质外延的技术发展趋势，提出了外延技术的发展所面临的核心问题。“衬底和外延的掺杂浓度差异和热膨胀造成晶格常数差异，导致厚度越大，应力越大。”

　　从高压碳化硅器件要求出发，芦伟立详细介绍了厚外延所带来的缺陷及少子寿命问题，并提出了缺陷调控策略及工艺优化方向。

　　关于高压用碳化硅外延应用及特点，河北普兴电子科技股份有限公司碳化硅外延产品总监尹志鹏表示，高压及超高压用碳化硅外延应用领域包括轨道交通、航空航天、智能电网等领域，相较于高压用外延材料，其外层厚度更厚，掺杂浓度更低，从而获得理想的阻塞电压。

　　结合电动汽车应用场景，河北同光半导体股份有限公司副总经理王巍对导电型碳化硅材料的市场现状及未来市场需求进行了详细分析，并结合当前国内外碳化硅的产业和发展现状，提出了碳化硅产业发展所面临的挑战。

　　王巍表示，要通过技术创新持续推动碳化硅材料性能提升和成本降低，并使得碳化硅材料的应用领域更加广泛，而新能源汽车和5G通信等行业快速发展，也将带动碳化硅材料需求的不断增长，国家政策的支持与引导则为碳化硅产业提供了稳定的发展环境。

　　山东天岳先进科技股份有限公司研发总监梁庆瑞简要介绍了碳化硅单晶的性能及市场和应用，并总结了随着碳化硅晶体尺寸的增加所面临的晶体缺陷，电学特性成本控制等方面的挑战，后又从多个技术攻关角度出发，详细阐述了应对当前挑战的措施。

　　中国科学院半导体研究所研究员张逸韵介绍，在生物医疗领域，该研究所综合考虑生物兼容性、出光角度、器件温升等因素，制备了蓝宝石基的双波长micro-LED探针、硅基阵列绿光RCLED生物探针，以及蓝光RCLED生物探针和光刺激阵列。

　　张逸韵表示，随着研究所研究的深入，越来越多的迹象表明硅基异质集成的氮化镓光电器件有着诸多优势，有望在光遗传学领域发挥重要作用。

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