三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发，并正进入量产准备阶段。

这家韩国科技巨头目前正向英伟达（NVDA）(NVDA.US)发送HBM4原型样品进行质量测试。三星的目标是在年底前完成HBM4的开发，一旦通过英伟达（NVDA）的质量测试，便可能立即开始量产。据悉，三星也正在建立即时量产的系统。

据了解，三星已完成了HBM4的“生产准备批准”阶段，这是半导体（881121）开发流程中的第六步，也是量产批准前的最后一步。

自今年6月成功开发10纳米级第六代DRAM(“D1c”)以来，该公司的HBM4开发进度加快。三星计划利用领先竞争对手一代的D1c，凭借性能更高的HBM4重获竞争优势。

三星在其第三季度财报业绩中曾表示，HBM4样品正在发往关键客户。此外，公司表示，展望2026年，其内存业务将专注于量产具有差异化性能的HBM4产品。

今年9月，三星的竞争对手SK海力士表示，其已完成对人工智能（885728）工作至关重要的下一代内存产品HBM4的开发，并做好了量产准备。SK海力士是英伟达（NVDA）HBM芯片的主要供应商。美光科技（MU）(MU.US)在较小程度上也是这两家韩国公司在该领域的竞争对手。