安森美同英诺赛科达成 MOU，计划就 40~200V 氮化镓 GaN 器件制造展开合作
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IT之家
利好
IT之家12月3日消息，安森美onsemi与国内氮化镓(GaN)技术企业英诺赛科Innoscience今日共同宣布双方已签署一份备忘录(MOU)。
双方计划结合安森美在系统集成、驱动器、封装上的专业知识和英诺赛科的GaN晶圆制造领导力，以英诺赛科的200mm(IT之家注：即八英寸)硅基GaN技术平台扩大安森美40~200V中低电压GaN功率器件的制造规模。
对于安森美的客户而言，此项合作关系将带来更快的上市时间、可扩展的生产制造能力、更低的系统成本。
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