IT之家 12 月 15 日消息，据韩国 Chosunbiz 今日报道，三星电子在高带宽存储器 HBM 领域迎来关键进展。此前近 2 年在性能和良率方面始终难以稳定的 HBM3E 12 层堆叠产品，现已经实现量产级别的稳定表现，并有望显著扩大供货规模。

产业消息称，负责谷歌（GOOG） TPU 芯片设计的博通（AVGO），正在讨论提高三星电子 HBM3E 12 层产品的供应比重。谷歌（GOOG）已在第 7 代 TPU 中同时采用三星电子与 SK 海力士的 HBM3E 8 层产品，而在性能进一步强化的改良版 TPU 7E 中，计划直接搭载 HBM3E 12 层。目前相关产品正处于量产测试阶段，业内普遍认为两家厂商在性能指标上已接近同一水平。

IT之家从报道中获悉，因此，三星电子也有望成为博通（AVGO）的首选供应商。

过去一年，三星电子的 HBM3E 12 层产品始终未能通过“最大买家”英伟达（NVDA）极为严格的质量测试，这也是三星电子在全球 HBM 市场长期落后于 SK 海力士的重要原因之一。

为扭转局面，三星在负责 DRAM 开发的黄尚俊（音译）主导下，对 HBM 所使用的 DRAM（D1a）进行了重新设计，并在今年通过与博通（AVGO）的深度合作，逐步实现性能与良率的稳定。

HBM3E 12 层与 8 层产品在盈利能力和应用价值上差距明显。三星电子一位高层人士透露，在过去争取英伟达（NVDA） HBM 主力供应商资格时，三星电子管理层曾亲自拜访英伟达（NVDA） CEO 黄仁勋。黄仁勋当时明确表示，如果希望成为优先供应商，最新 HBM 产品必须采用 12 层堆叠结构。该人士指出，HBM3E 12 层对于提升 GPU 性能以及支撑大语言模型运行具有决定性意义。

业内分析认为，三星能够在 HBM3E 12 层上取得突破，与博通（AVGO）的合作发挥了重要作用。与英伟达（NVDA）持续要求存储厂商反复重构设计、将性能推向极限不同，博通（AVGO）更强调满足客户规格需求，自行完成 SoC 设计，因此对 HBM 供应商的测试压力相对较小。

一位博通（AVGO）工程师表示，业界将博通（AVGO）视为英伟达（NVDA）对手的看法并不完全准确，“对了一半”。该工程师指出，博通（AVGO）更接近一家以设计效率和成本控制为核心的设计公司，通过为谷歌（GOOG）等客户以合理成本定制芯片，实现稳定利润。这种模式也使博通（AVGO）更青睐报价更具弹性、供货规模更灵活的三星电子，同时增强对 SK 海力士的价格谈判能力。

为缩小在 HBM3E 市场的差距，三星电子在性能提升与价格策略上明显更加灵活。业内消息称，三星 HBM3E 的供货单价较 SK 海力士同类产品低约 20%，这一因素正在重塑 HBM 供应格局。