IT之家 12 月 24 日消息，据《朝鲜日报》今日报道，三星电子、SK 海力士等存储供应商已上调明年 HBM3E 价格，涨幅接近 20%。

报道援引行业消息称，三星电子和 SK 海力士等内存半导体（881121）企业将 HBM3E 的供应价格提高了近 20%。考虑到通常在新一代 HBM 发布前价格会下调，这一涨幅被认为是异常情况。有观点认为，这是英伟达（NVDA）、谷歌、亚马逊（AMZN）等 AI 加速器企业上调明年 HBM3E 订单量所导致的。

半导体（881121）行业人士表示：“今年 HBM3E 已成为 HBM 市场的主力产品，但预计明年 HBM4 市场兴起时，价格会略有下降。然而，除英伟达（NVDA）外，其他全球大型科技企业也将于明年推出搭载 HBM3E 的 AI 加速器，因此对 HBM3E 的需求仍持续增长。从内存半导体（881121）企业的角度来看，无法放弃扩大 HBM4 生产能力，因此在供应无法跟上需求的情况下，出现了约 20% 的价格溢价。”

报道提到，随着三星电子和 SK 海力士等公司重点推进下一代产品 HBM4 的生产，HBM3E 即将供不应求。有证券研究员表示，“预计明年 HBM 市场的营收比例将为 HBM4 占 55%，HBM3E 占 45%。并且，从明年第三季度开始，HBM4 将迅速吸收 HBM3E 的需求。”

随着 HBM 需求的激增，DRAM 等主打产品价格的上涨趋势也持续，这使得三星电子和 SK 海力士明年业绩的预期也随之提高。

据金融信息公司 FNGuide 报道，三星电子明年全年营业利润预期从一个月前的 76.6544 万亿韩元上调至 85.4387 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 4060.05 亿元人民币），SK 海力士的营业利润则从同期的 71.4037 万亿韩元上调至 76.1434 万亿韩元（现汇率约合 3618.33 亿元人民币）。