IT之家3月17日消息，索尼（SONY）半导体（881121）官网现已列出了IMX820全画幅CMOS传感器（885946），采用2400万像素部分堆栈式设计，不过详细规格白皮书并没有列出。

据消息源SONYAlpha Rumors前天透露，这款传感器（885946）目前被应用于尼康Z6III、松下Lumix S1II等产品。不过索半并没有列出Alpha7V相机搭载的3300万像素部分堆栈式传感器（885946），目前该CMOS仅供索尼（SONY）自家独占使用，肥水不流外人田。

消息人士对此表示，这颗3300万像素部分堆栈式传感器（885946）将独占至2027年，此后尼康等厂商也有望拿到同款CMOS。

值得注意的是，IMX820传感器（885946）搭载了“CoW BI”技术，因此我们有理由推测Alpha7V的那颗3300万像素CMOS也采用相同技术。

作为参考，半导体（881121）制造商通常会使用WoW(IT之家注：Wafer-on-Wafer，晶圆对晶圆)技术封装CMOS，将整片像素晶圆与整片逻辑电路晶圆压合，然后再切割成单个传感器（885946）。

而 CoW(Chip-on-Wafer)技术则有所不同，先将其中一片晶圆切割成单独芯片，然后再将这些独立芯片贴合到另一整片未切割的晶圆上。这种技术能够带来许多优势。

这些优势其中之一就是减少硅片浪费，因为全画幅/中画幅传感器（885946）的像素层面积非常大，传统WoW方案要求像素晶圆下方键合的逻辑电路晶圆尺寸完全匹配，导致很多硅片被白白浪费。而CoW可以将小型逻辑晶圆贴合到较大的传感器（885946）上，尺寸不必完全匹配，大幅提升资源利用率。

并且WoW封装技术良率并不算高，如果逻辑晶圆有缺陷则会连带报废掉上方完好的像素晶圆。而CoW则可以先筛选出良品晶圆再进行贴合，显著提升良率并降低制造成本。

此外，CoW技术还可以应用微观铜对铜(Cu-Cu)混合键合技术，将A/D转换器、DRAM等直接贴在像素晶圆上方，能够带来更高并行数据处理能力，实现无果冻效应的全域快门。