IT之家3月18日消息，三星电子存储器开发副总裁当地时间本月16日在GTC2026现场表示，三星将在HBM5和HBM5E世代分别升级HBM内存基础(逻辑)裸片和DRAM裸片的工艺，而HBM4E的制程则将与HBM4相同。

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同时提到，三星电子将HBM4视为其整体HBM内存业务的重点，目标是占据超过一半的市场份额。三星电子还将加速HBM的开发，实现与英伟达（NVDA）同步的1年1迭代更新速度。