IT之家3月24日消息，三星在半导体（881121）制造领域取得突破，其先进的2纳米工艺良率近期已突破60%。这一进展将使该公司能够以更低成本生产更多高性能芯片，同时吸引新客户。

据 Hankyung报道，三星2纳米工艺的良率在短短两个季度内增长了两倍多。去年下半年，该工艺良率仅约20%，导致晶圆上的大部分芯片无法使用。如今良率突破60%，三星已与台积电（TSM）的良率水平基本持平。据悉，行业龙头（883917）台积电（TSM）的2纳米工艺良率在60%至70%之间。

三星正为自家Exynos2600智能手机处理器生产2纳米工艺芯片，根据不同市场，这款自研芯片将搭载于部分三星Galaxy S26及S26+机型。

报道称，尽管Exynos2600芯片良率仍未达到50%，但相比前代产品，三星已成功提升了其性能与生产效率。

由于工艺精度要求极高，2纳米制程的良率提升难度极大。更高的良率不仅能降低生产成本，还能帮助三星拿下更多全球客户的订单。该公司已与特斯拉（TSLA）签订了价值165亿美元(IT之家注：现汇率约合1137.92亿元人民币)的合同，其晶圆代工部门将在泰勒芯片制造厂为这家车企生产下一代AI6芯片。

行业观察人士表示，小于5纳米的先进芯片在信息技术设备中的应用正日益广泛。若三星能实现稳定且可观的2纳米良率，将吸引更多寻求尖端半导体（881121）解决方案的客户。如此一来，这家韩国晶圆代企业有望在未来几年缩小与主要竞争对手台积电（TSM）在市场份额方面的差距。