2026年3月31日，由忱芯科技(上海)有限公司牵头起草的标准T/CASAS063—202X《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS064—202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》、T/CASAS065—202X《SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验方法》已完成委员会草案的编制，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止时间2026年4月14日，请联盟标委会正式成员关注秘书处邮件。

T/CASAS063—202X《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》描述了新能源（850101）主驱逆变器（884304）采用的两电平SiC MOSFET功率模块、光伏储能（885921）风电（885641）变流器采用的三电平SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用于Si IGBT模块的有功对拖输出测试、SiC MOSFET模块的有功对拖输出测试、Si IGBT、SiC MOSFET混合模块的有功对拖输出测试以及ANPC、INPC、TNPC等拓扑电流的有功对拖输出测试。

T/CASAS064—202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》描述了双脉冲测试条件下对应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。

本文件适用于分立器件（884090）和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。

T/CASAS065—202X《SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验方法》描述了碳化硅金属氧化物半导体（881121）场效应晶体管(SiC MOSFET)交流-湿度-温度循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

忱芯科技(上海)有限公司

忱芯科技(UniSiC)是功率半导体（881121）自动化测试系统解决方案创新领导者，产品可覆盖SiC、GaN以及Si基功率半导体（881121）器件各测试环节，为功率半导体（881121）IDM企业、新能源（850101）车厂及Tier1、功率器件设计与封装企业提供精准、可靠、高性价比的测试解决方案。

忱芯科技的SiC功率半导体（881121）测试系统产品包括：晶圆级动态WLR测试系统、芯片级KGD测试系统、双极退化测试系统、动态测试系统、静态测试系统、动态可靠性测试系统、连续功率测试系统等，全面覆盖功率半导体（881121）晶圆级测试、芯片级测试、单管/模块级测试和系统级测试，可满足实验室与生产线的多种场景需求。

忱芯科技已完成了从研发，测试到集成、销售的完整产业链覆盖，成功覆盖了从IDM、封测企业、新能源汽车（885431）产业链，高端医疗等领域的多家行业内标杆性头部企业:同时，忱芯科技与国内众多知名高校和第三代半导体（885908）研发平台也已展开了实质性的商务合作。