4月15日，据ChosunBiz，三星电子第六代高带宽内存(HBM4)的良率仍低于60%，该公司计划在今年下半年将HBM4 DRAM的良率提升至接近完工的水平，以加快对包括英伟达（NVDA）（NVDA.US）在内的主要人工智能（885728）客户的响应速度。另一方面，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到所谓的“成熟良率”。