财通证券（601108）发布研报称，半导体材料（884091）板块正在同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动。先进逻辑的落地、3DNAND的迭代、HBM与先进封装（886009）并非只带来材料用量提升，特别是在CMP、靶材、光刻胶（885864）、刻蚀液、清洗液等环节形成规格升级和价格抬升的复合通胀，相关材料将展现出强于行业平均的增长弹性。建议关注卡位需求通胀以及对日替代关键逻辑的重要半导体材料（884091）公司。

财通证券（601108）主要观点如下：

AI算力、数据中心和智能终端持续放量，正在推动全球半导体（885756）景气进入上行阶段，并直接带动晶圆厂资本开支水平与稼动率维持高位

在这一背景下，半导体材料（884091）因具备消耗和复购属性而成为产能落地后的终局受益品种。更进一步，在先进逻辑、HBM、3DNAND等高复杂度工艺中，部分重要材料品类并非简单跟随晶圆片数增长，而是呈现单片用量上升、品类数增加、或价格抬升的复合通胀，因此在行业景气上行阶段，部分产业链环节呈现更强的增长弹性和业绩落地确定性。除此之外，当前在晶圆厂扩产、叠加供应链安全重估及对日替代预期强化背景下，下游fab对本土材料导入意愿明显增强，部分材料的验证节奏和国产化率正加快抬升，半导体材料（884091）板块正在同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动。

半导体材料（884091）关键品类正呈现出先进工艺需求“通胀”属性，高度受益于此轮景气上行

首先，CMP抛光材料在逻辑芯片从250nm缩至7nm时，抛光步骤增至30次，抛光液种类从5种增至20余种;存储芯片（886042）从2DNAND到3DNAND，CMP步骤近乎翻倍。靶材同样是典型“通胀型”耗材，3DNAND从128层升至232层以上时单片晶圆消耗量增加超40%，HBM单颗芯片铜靶用量达传统芯片3倍以上。光刻胶（885864）方面，7nm及以下多重曝光使单位晶圆消耗量显著增。刻蚀液方面，从65nm到7nm刻蚀步骤激增超300%。清洗液方面，从80-60nm到20-10nm清洗步骤从100步增至200步以上。因此，先进逻辑的落地、3DNAND的迭代、HBM与先进封装（886009）并非只带来材料用量提升，特别是在CMP、靶材、光刻胶（885864）、刻蚀液、清洗液等环节形成规格升级和价格抬升的复合通胀，相关材料将展现出强于行业平均的增长弹性。

半导体材料国产替代正在从长期逻辑走向加速兑现

目前，我国半导体材料（884091）整体国产化率仅为15%，高端领域仍高度依赖进口。其中，光刻胶（885864）的国产化落地最为迫切，日本JSR、TOK等五家企业垄断全球约95%份额，我国当前KrF光刻胶（885864）国产化率仅约3%，ArF不足1%，EUV几乎为零，若高端光刻胶（885864）纳入出口管制，供应链中断风险将急剧放大，国内光刻胶（885864）产业链迎来明确的替代窗口。湿电子化学品（881172）方向，高端刻蚀液市场仍高度集中于海外厂商，叠加上游含氟电子特气供给受限和出口管控趋严，国内具备高纯刻蚀液量产能力的企业有望迎来导入提速。CMP材料和靶材方面，政策支持、下游扩产和供应链安全重估，正在提高fab对本土材料的导入意愿。近期，中国对钨实施出口管制后，全球六氟化钨供应链趋紧，日本钨靶龙头的出货能力受限，进一步为国内高纯靶材企业打开份额提升窗口。

风险提示：技术与良率/爬坡风险，需求不及预期风险，地缘与贸易摩擦。