据韩国《Edaily》近日报道，三星电子与SK海力士正加速第七代高带宽内存HBM4E研发，以抢占AI芯片市场先机。三星已计划于5月完成HBM4E首批样品生产，该产品将用于英伟达（NVDA）(NVDA.US)下一代AI加速器，并目标于2027年实现大规模量产。此前，三星已在英伟达（NVDA）GTC2026展会首次公开展示HBM4E实物芯片。

SK海力士亦计划于今年下半年向客户交付HBM4E样品，为提升性能，其正优先采用台积电（TSM）(TSM.US)3纳米工艺制造逻辑裸片，较此前HBM4所用的12纳米工艺实现显著升级。

随着英伟达（NVDA）、AMD等主流厂商陆续将HBM4E纳入下一代AI加速器设计，韩系两大存储企业在高带宽内存的速度与性能竞争正进一步白热化。