IT之家5月8日消息，英诺赛科（HK2577）今日宣布，美国国际贸易委员会(ITC)在第337TA1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科（HK2577）当前的氮化镓GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。

IT之家注：英诺赛科（HK2577）是一家总部位于珠海（883419）的氮化镓类器件制造商，产品包括高低压氮化镓电源IC、功率半导体（881121）等。2024年底，英诺赛科（HK2577）在香港联合交易所主板挂牌上市，标志着国内氮化镓半导体（881121）第一股诞生。

▲ 英诺赛科氮化镓产品

ITC全体委员一致同意英诺赛科（HK2577）现有产品未侵犯英飞凌的美国第9,070,755号专利(涉及电极设计)和第9,899,481号专利(涉及封装设计)。

英诺赛科（HK2577）表示，委员会仅认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效且仅被英诺赛科（HK2577）早已停止生产和销售的历史旧产品侵权。因此，相关的进口和销售禁令对英诺赛科（HK2577）在美国的现有业务不具有实质影响。英诺赛科（HK2577）将继续不间断地向美国及全球客户供应其现有的GaN功率产品。