据THE ELEC5月8日报道，三星电子近日扩大应用于Galaxy S26系列的定制化3D TIM（TIMB）（热界面材料）等新一代散热方案，该技术集成于HPB（热通道阻断模块）中，旨在高效化解应用处理器（AP）发热问题。

TIM（TIMB）作为连接发热芯片与散热部件的导热介质，可填补微小空气层、降低热阻。针对Exynos 2600处理器及HPB封装工艺，三星全新设计3D定制化TIM（TIMB），由DX部门研发，按PBA元器件高度精准成型，实现热量均衡扩散，保障AP稳定输出。

测试显示，相较传统2D TIM（TIMB），AP芯片温度降低1.18℃、机身背面温度降低0.73℃。3D TIM（TIMB）使有效接触面积提升118%，电源管理芯片（DC/IC）接触率从0%升至78.8%，UFS达41.4%。该技术已从S25系列演进，采用PCM与SEBS复合材料经热压成型，克服台阶差问题。

同时，三星研发的散热型底部填充胶（环氧基加导热功能）即将量产，兼顾填充、缓冲与散热。尽管S26 Ultra散热条件原优于标准版，但两机型表面最高温已趋近。业内指出，微小温降在狭小空间内对抑制降频、提升性能意义重大。