IT之家5月8日消息，科技媒体Wccftech昨日(5月7日)发布博文，报道称为突破10nm以下制程微缩瓶颈，三星与SK海力士两大巨头正研发下一代DRAM制造工艺，争夺行业主导权。
IT之家援引博文介绍，不同于处理器，DRAM内存芯片必须依靠电容器存储数据。随着制程节点不断缩小(如10nm以下的1c节点)，电容器的尺寸难以继续缩减，晶体管间距缩小也增加了短路风险。
为了让密度进一步提升，行业正转向3D DRAM，将传统2D平面排列的DRAM单元改为垂直或立体堆叠架构的内存技术。其原理类似3D NAND闪存，通过改变晶体管排列方向(如水平放置)或垂直堆叠，在缩小制程时保持电容器容量。
不过在技术实现方面，三星和SK海力士已分化出不同发展路线。
三星方面计划推广GAAFET工艺。在处理器制造中，GAAFET通过栅极包裹沟道来提升电流控制力；但在DRAM中，三星必须将GAAFET晶体管与电容器整合在同一单元内。为此，三星考虑借鉴NAND闪存的设计，把负责读写操作的控制电路置于存储阵列下方。
而 SK海力士选择了4F2架构。该方案将晶体管垂直堆叠，同样用栅极材料包裹晶体管，而接收电容数据的组件则置于晶体管柱下方。这种结构与GAAFET有相似之处，但空间布局逻辑截然不同。
该媒体指出两大巨头路线分化，核心目标一致：率先实现技术量产，推动自家方案成为下一代DRAM的行业标准。谁能率先跑通工艺并提升良率，谁就能在AI时代的内存市场占据主导。
