据THE ELEC5月20日报道，三星电子正式调整氮化镓(GaN)功率半导体（881121）业务战略，终止自有器件业务，集中资源发展需求旺盛的代工(Foundry)业务。

据悉，三星今年初向客户交付GaN器件样品，但因导通电阻(RDS)未达标准、效率偏低及从模块方案转为裸芯片供应与需求不符，导致订单流失、量产失败，并中途退出2024年启动的与Semipowerrex合作的电动汽车GaN国家课题。

相较之下，其由化合物半导体（881121）事业部(CSS)负责的GaN代工业务进展顺利，已锁定多客户，预计最快今年7月投产，且原使用竞品代工的客户正转向三星。因GaN光罩成本远低于硅芯片，换厂门槛低，有利订单获取。

然而，GaN工艺对低电阻特性、稳定性与良率要求极高，优化难度大于硅基，三星短期内难全面承接订单。且全球GaN年市场规模约1万亿韩元，对三星吸引力仍有限。