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年产 1533 亿 Gb DRAM 内存芯片,三星越南首座半导体测试工厂有望明年投产
2026-05-27 13:35:36
来源:IT之家
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问财摘要

1、据路透社消息,三星计划在越南投资39万亿越南盾,建设其在越南首座芯片测试工厂。工厂选址位于太原省工业园,已动工建设,目标在2027年11月投产。工厂将聚焦DRAM和NAND两类存储芯片测试,年产能可达1533亿Gb DRAM芯片和2556亿Gb NAND芯片。
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存储芯片--

IT之家5月27日消息,路透社今天(5月27日)披露一份项目文件,显示三星计划越南投资39万亿越南盾(IT之家注:现汇率约合100.23亿元人民币),建设其在越南首座芯片测试工厂。

该工厂选址位于河内以北约60公里的太原省(Thai Nguyen)工业园,落地后将成为三星在越南的首座芯片测试厂。

落地规划方面,消息称该工厂已动工建设,目标在2027年11月投产。路透社记者实地看到,现场已有大量施工车辆与工人作业。一名知情人士称,自至少2026年4月起,已有200多名三星工程师和员工在项目现场工作。

产能规划方面,消息称工厂将聚焦DRAM(动态随机存取存储器)和NAND(闪存)两类存储芯片(886042)测试。提案文件显示,工厂年产能可达1533亿Gb DRAM芯片,以及2556亿Gb NAND芯片。

虽然成熟芯片在AI供应链中的关键性低于高端AI芯片,但由于主要厂商把更多产能转向AI相关芯片,成熟存储芯片(886042)同样面临明显短缺。

当前强劲的存储需求已压缩智能手机、笔记本电脑和汽车等行业的芯片供应空间。三星新增测试产能,虽属于后道环节,却仍能在芯片交付链条中补上关键一环,帮助提升成熟存储芯片(886042)的出货效率与供应稳定性。

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