据韩联社5月29日消息，三星电子宣布全球首次出货第七代高带宽内存（HBM）HBM4E 12层样品，进一步强化其在AI内存市场的技术主导地位。继今年2月量产HBM4后，仅隔三个月即推出下一代样品，加速市场布局。
HBM4E基于HBM4验证的1c（10纳米级）DRAM与4纳米工艺，通过设计与制程优化实现性能突破：单引脚速率从14Gbps提升至16Gbps，增幅超20%；单堆栈带宽达3.6TB/秒，有效支撑大语言模型及下一代AI系统运算需求。
容量方面，12层版本达48GB，较上一代提升超30%，后续将扩展8层（32GB）与16层（64GB）规格。同时，通过低功耗与封装优化，能效提升16%，热阻特性改善超14%。
三星表示，样品交付后将依客户排期启动量产。内存事业部开发负责人黄相俊副社长称，此次出货彰显三星技术领先优势，未来将依托产能与技术持续引领AI内存市场。
目前HBM4量产供应持续扩大，客户反馈积极。另悉，SK海力士亦拟提前推出HBM4E，双方市场竞争将进一步加剧。
