华太电子科创板IPO已问询 主要从事射频业务、功率业务

2026-06-02 19:52:19
来源:智通财经
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问财摘要

1、苏州华太电子技术股份有限公司申请上交所科创板上市审核状态变更为“已问询”,华泰联合证券为其保荐机构,拟募资27.81亿元。 2、公司成立于2010年,是平台型半导体企业,主要从事射频业务、功率业务相关产品的研发、生产与销售。公司拥有硅基LDMOS射频功放分立器件、RFLDMOSMMIC、GaN射频功放分立器件与集成模组、碳化硅RugSiC功率器件与硅基超级结IGBT器件等原创核心技术。
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6月2日,苏州华太电子(600027)技术股份有限公司(简称:华太电子(600027))申请上交所科创板上市审核状态变更为“已问询”,华泰联合证券为其保荐机构,拟募资27.81亿元。

据招股书,公司成立于2010年,是具备半导体(881121)产业链底层核心技术自主可控能力、实现产业链协同布局的平台型半导体(881121)企业。公司主要从事射频业务、功率业务相关产品的研发、生产与销售,产品可广泛应用于通信基站、半导体(881121)装备、卫星通信、服务器电源、光伏发电与储能(885921)新能源汽车(885431)、工业控制、智能终端、AI算力板卡等场景。

公司历经十六年科研深耕、技术攻坚与产业沉淀,突破了传统半导体(881121)器件设计的底层桎梏,致力于半导体(881121)器件物理重大发现和半导体(881121)工艺技术突破,实现了半导体(881121)器件的原始创新设计,构建起兼具原创性与差异化竞争优势的技术体系和自主知识产权体系,核心产品性能达到国际领先水平,形成了难以复制和逾越的技术壁垒。

公司拥有硅基LDMOS射频功放分立器件(884090)、RFLDMOSMMIC、GaN射频功放分立器件(884090)与集成模组、碳化硅RugSiC功率器件与硅基超级结IGBT器件等原创核心技术,全面覆盖了半导体(881121)器件设计、集成电路设计、芯片应用方案开发、晶圆制造工艺、封装测试、封装与散热材料等多个关键环节,具备产业链一体化和自主可控优势。公司依托完善的底层技术体系,在半导体(881121)产业链中的多个应用领域取得了关键成果突破,已推出采用空腔封装的LDMOS及GaN射频功放分立器件(884090)、RFLDMOSMMIC、RugSiC功率器件、超级结IGBT等多款产品,性能指标已达行业先进水平。

公司的长期发展愿景为打造自主可控、高效可靠、具有差异化竞争力优势的半导体(881121)产品设计与制造交付平台,成为全球领先的大功率射频与功率半导体(881121)器件、芯片与解决方案供应商。公司聚焦“万物互联”和“新能源(850101)”两大国家重点支持的战略方向,通过提高通(QCOM)信系统效率和能源(850101)转换效率,助力国内龙头客户实现关键半导体(881121)芯片和器件的供应链安全,为国际知名客户提供性能领先的产品。

在现有产品基础上,基于战略客户的需求牵引和自身技术积累,公司突破国外技术垄断,率先推出最大功率可达3000瓦的射频电源用射频功放芯片,解决国产半导体(881121)装备射频电源用大功率射频功放芯片的卡脖子问题,实现自主可控和技术赶超;同时,公司不断开拓新产品,已设计出新型氮化镓射频功放器件、新型碳化硅RugSiC功率器件、高性能MCU芯片、高精度电池管理芯片等新产品,实现产品间的战略协同,为客户提供一站式全套芯片解决方案。

财务方面,于2023年度、2024年度及2025年度,公司实现营业收入分别约为11.26亿元、7.07亿元、7.26亿元人民币;同期,净利润分别约为-1.84亿元、-4.64亿元、-1.28亿元人民币。

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