据THE ELEC 6月3日报道，2026台北电脑展（Computex）期间，三星电子于三星显示展区一角低调展出第八代高带宽内存（HBM5）架构原型样品，并同步发布自研HPB（Heat Path Block（XYZ），热通路模块）散热技术，彰显其布局下一代HBM市场的战略动向。
三星DS事业部社长兼CTO宋载赫2日在展台详解称，HBM5首次集成HPB热管理结构，其类似烟囱的独立导热通道可有效降低芯片堆叠热阻，提升高负载稳定性。工艺方面，HBM5底层基板芯片（Base Die）将采用三星自研2nm先进制程，较此前HBM4E所用4nm工艺进一步升级。宋载赫强调，AI驱动下，存储、代工、逻辑与先进封装（886009）一体化能力已成为行业核心竞争力。
同期，三星亦展出已实现批量出货的量产版HBM4E晶圆与芯片，其采用1c代DRAM存储裸片加4nm基板工艺，单引脚速率基准14Gbps、最高达16Gbps，单颗芯片带宽最高达4TB/s。三星已于上月末宣布全球率先完成HBM4E样品批量交付。
展会上，英伟达（NVDA）CEO黄仁勋到访SK海力士展台并留言“请加大产能”，其此前亦公开称海力士有望冲击万亿美元市值。SK集团会长崔泰元回应称，当前HBM4E独家刚需客户仅为英伟达（NVDA），凸显订单主导权为竞争关键。
值得注意的是，三星半导体（881121）未设独立展位，仅借展区边角展示，据悉其参展方案系开展前约10天最终确定。
