6月5日，存储芯片（886042）板块震荡下挫，盛合晶微（688820）（688820.SH）跌超8%，江波龙（301308）（301308.SZ）、佰维存储（688525）（688525.SH）、德明利（001309）（001309.SZ）、香农芯创（300475）（300475.SZ）、协创数据（300857）（300857.SZ）纷纷下挫。
尽管板块受挫，但今年下半年，在AI算力需求的绝对主导下，存储涨价的核心驱动力依然强劲。根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，该机构上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90%-95%。
另外，当日消息，英伟达（NVDA）（NVDA.US）首席执行官黄仁勋表示，三大存储芯片（886042）制造商已通过认证，可为英伟达（NVDA）AI加速器供应高带宽存储芯片（886042）。这一决定意味着，SK海力士、三星电子和美光科技（MU）（MU.US）即将开始大规模生产和供应HBM4芯片。这三家公司主导着全球存储芯片（886042）市场，并一直在激烈争夺这一业务的份额。黄仁勋在抵达首尔展开为期数天的访问时表示，这三家供应商都已通过认证，并且都已投产，竞相支持英伟达（NVDA）最新的AI芯片Vera Rubin。
