IT之家6月5日消息，据韩媒The Elec于5日(今天)下午援引知情人士消息称，SK海力士已向主要供应商说明最新的扩产计划，目标是在2030至2031年把DRAM晶圆投片产能提高到接近目前两倍。
这项扩产路线图在2026台北国际电脑展之前就已制定完成。展会期间，英伟达（NVDA）CEO黄仁勋曾在一片SK海力士DRAM晶圆上写下“请多生产”，也从侧面凸显AI存储产品需求正在快速升温。
多名行业人士透露，过去两个月，SK海力士采购团队以及负责龙仁半导体（881121）集群的人员，已陆续向主要供应商说明到2030年扩大晶圆投片产能的计划。
按照计划，SK海力士希望到2030年把DRAM晶圆月投片产能从目前约55万片提高到约100万片。现有产能中包括无锡工厂约20万片月产量，新增产能预计主要来自龙仁半导体（881121）集群。
SK海力士计划把龙仁第一座晶圆厂划分为六个洁净室，并从2027年2月起向第一个洁净室搬入设备。第一阶段设备安装完成后，龙仁工厂将新增6万片月产能；此后，SK海力士计划每隔六个月启用一个新增洁净室，每次再增加6万片月产能。若按现有时间表推进，仅龙仁第一座晶圆厂到2030年上半年就可新增36万片DRAM月产能。
清州M15X晶圆厂也在扩建。M15X计划今年下半年投产，初期月产能为4万片晶圆，明年预计提升至约8万片。若龙仁新增36万片产能也按期释放，SK海力士DRAM晶圆月投片总产能到2030至2031年有望达到约100万片。
NAND闪存方面，SK海力士被认为主要聚焦技术升级，包括提高堆叠层数。一名半导体设备（884229）行业人士表示：“可以理解为，SK海力士是在要求供应商为快速、大规模扩产做好准备。”
据IT之家了解，这项计划也与SK集团董事长崔泰源最近的表态相呼应：全速在五年内将整体晶圆产能提高一倍。
不过，供应商仍在谨慎观望这份激进路线图能否如期落地。2022年，SK海力士曾向供应商提供下一年度资本开支指引，但同年秋季又大幅削减设备订单。部分供应商已经依据指引采购零部件，后来承受了明显现金流压力。业内人士也指出，如果任何一类设备交付延迟，每六个月填满一个洁净室的节奏都可能被打乱。
一名供应商人士表示：“短期来看，投资增加已经很明确，对设备和材料供应商是重大利好。但整份路线图最终能否完成，还是要看市场需求能不能支撑。”
