IT之家6月17日消息，据韩媒SEDaily当地时间12日消息，三星电子在2026年度IEEE VLSI研讨会上展示了全球首款5nm MRAM(磁性随机存取存储器)的研发成果。
▲ MRAM结构示意
相较DRAM，MRAM的一大优势是其具备非易失性(Non-Volatile)，无需频繁刷新，几乎可以无限期地保留信息，从而实现了能效端的优势。
三星电子的5nm MRAM拥有-40~+150℃的宽广工作环境温度范围，能满足AEC-Q100标准要求，正朝2027年量产的既定目标稳步推进。
IT之家注意到，三星电子今年早些时候在另一场学术会议上展示了8nm MRAM，基于8nm MRAM的边缘AI芯片也在今年5月完成了流片。
