SK海力士周四表示，公司已向向全球主要客户交付其最新高带宽内存(HBM)芯片——12层HBM4E的样品。
韩国公司SK海力士与同国企业三星电子均位列全球最大的内存芯片制造商之列。SK海力士是英伟达（NVDA）HBM芯片的主要供应商。三星以及美国公司美光科技（MU）在这一领域也与SK海力士展开竞争。HBM芯片被用于英伟达（NVDA）等公司制造的AI处理器中。
SK海力士表示：“得益于公司在HBM领域先进的研发与生产专业技术，我们得以按期交付12层堆叠HBM4E的样品。”公司还补充道：“我们将与合作伙伴紧密合作，以确保及时实现量产。”
该公指出，12层HBM4E在性能和功耗效率方面均有所提升。该产品的单引脚最大数据处理速度达16Gbps，且功耗效率较前代机型提升了20%以上。
据公司介绍，这些改进提升了AI训练和推理的数据处理能力。
SK海力士补充称，与前代HBM4相比，其耐热性能也提升了17%，从而使内存芯片能够在高性能计算环境中稳定运行。
HBM4E样品交付战打响
HBM4E是第七代HBM，预计SK海力士的HBM4E将被用于英伟达（NVDA）的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中，Rubin Ultra计划于明年发布。6月2日，黄仁勋参观了在中国台湾举行的2026年台北国际电脑展SK海力士展位，并在HBM4E晶圆上留言：“请多生产一些。”
据悉，SK海力士将在其HBM4E核心芯片上采用1c纳米工艺，基础裸片则由台积电（TSM）采用3纳米工艺生产。SK集团董事长崔泰元在台北国际电脑展上表示：“只要客户准备好了，我们就随时准备就绪。”他还补充道：“目前，我们只有一家HBM4E客户。”
在HBM市场，样品交付的时机至关重要。由于下一代HBM是根据客户的具体要求定制生产的，更快的样品交付速度可以让客户更快地验证性能并完成优化，从而在最终的量产竞赛中占据优势。
5月29日，三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E。
一位业内人士表示：“对于HBM而言，不仅性能至关重要，出货时间和客户认证等进度安排也至关重要。”他补充道：“今年下半年，两家公司(三星与SK海力士)之间的供应竞争将进一步加剧。”
另外，美光的HBM4产能爬坡进展顺利，计划于2027年量产HBM4E，消息称其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺，这是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，基础裸片将委托台积电（TSM）制造。
TrendForce此前指出，上述三大供应商正逐步将产业重心由良率竞争转向定价权与下世代规格主导，虽传统DRAM利润率短期反超HBM，供货商仍维持均衡产品组合，并看好HBM长期合约价走高，横向对比来看，当前除HBM以外的各类DDR及消费（883434）级存储，历经前期多轮涨价后价格已整体处于相对高位，而HBM的涨价红利尚未充分释放。
