7月7日，英汉思技术有限公司签约落户武汉光谷未来科技城。这家站在第三代半导体（885908）前沿赛道上的企业，提供半导体（881121）外延设备端到端解决方案，公司成立2年多已累计融资亿元以上。
英汉思成立于2024年，专注研发生产MOCVD设备。MOCVD是化合物半导体（881121）光电子器件的关键外延设备，通过化学气相沉积，在衬底上生长出决定芯片光电性能的单晶薄膜——没有这层“地基”，芯片就“长”不出来，因此MOCVD也被称为“造光母机”。
据市场研究机构QYResearch数据，2026-2032年全球MOCVD设备市场规模复合增长率预计为8.0%。但目前业内海外头部企业占据较高市场份额，国内厂商份额有限。
英汉思是国内少数能同时覆盖氮化镓、碳化镓、砷化镓、磷化铟等多种半导体材料（884091）体系的企业，对应手机快充芯片、5G（885556）基站功率器件、新能源（850101）车功率模块等主流应用场景。
英汉思董事长蒋琦说，光谷的营商环境效率高、支持力度大，产业土壤好，半导体（881121）企业几公里范围内就能完成从研发到生产的全部环节。企业落户后，利用九峰山实验室的验证平台，深耕InP/GaAs、GaN、SiC等材料应用的光芯片、卫星太阳能电池等行业客户，公司首台设备预计下半年导入客户。
目前企业已在光谷开展设备调试，后续将入驻高科激光产业基地，建设面积超2000平方米的生产基地，实现多型号MOCVD设备批量出货。
目前，光谷正加速建设14平方公里的化合物半导体（881121）产业创新街区。在产业链设备环节，街区重点攻关MOCVD(金属有机化学气相沉积)和键合机两大领域。
