极致性能VS稳定供货！三星、SK海力士、美光三巨头围绕新一代HBM核心基底芯片竞争

1、7月10日，高带宽内存HBM作为多层DRAM垂直堆叠的高附加值芯片，是英伟达(NVDA.US)等AI加速器性能的核心部件。 2、此前HBM基底芯片(Base Die)采用成熟制程，但HBM4起引入智能手机AP与服务器CPU的先进逻辑制程，其数据调度效率直接决定整体性能，成为三大存储厂商竞争焦点。 3、三星电子采用自研4nm制程基底芯片，实现从设计、生产到封装全链条垂直整合，全力提升性能，预计主导英伟达高端HBM4订单，但面临良率偏低挑战。 4、SK海力士现阶段使用台积电(TSM.US)12nm成熟工艺保障量产稳定，已获苹果(AAPL.US)、英伟达等验证，计划未来过渡至3nm，并依托MR-MUF封装技术实现性能与产能平衡，走稳健迭代路径，但受台积电产能分配影响存在不确定性。 5、美光科技(MU.US)仍以成熟制程为主，先进基底芯片布局滞后，战略侧重供应链稳定与成本控制，自研及代工绑定力度弱于韩企，产品迭代节奏相对缓慢。