深夜!SK海力士,暴涨21%!

2026-07-10 23:25:44
来源:券商中国
作者:周乐
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问财摘要

1、韩国存储芯片巨头SK海力士登陆纳斯达克,其美国存托凭证(ADR)盘前报价180美元/ADR,相较于发行价大涨约21%。此次发行规模达265亿美元,所募资金预计将用于支持其持续攀升的资本支出计划,以应对AI的旺盛需求。 2、SK海力士在高带宽内存(HBM)领域占据主导地位,与全球AI总龙头英伟达的关系更紧密。
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sk海力士(SKHYV)美股“首秀”来了。

北京时间7月10日晚间,sk海力士(SKHYV)美国存托凭证(ADR)盘前报价180美元/ADR,相较于发行价(149美元/ADR)大涨约21%。sk海力士(SKHYV)此次发行规模达265亿美元,创下外国公司赴美上市融资规模的新纪录,所募资金预计将用于支持其持续攀升的资本支出计划,以应对AI(人工智能(885728))的旺盛需求。

受此影响,美股存储概念股全线拉升,截至北京时间22:00,希捷科技(STX)涨超2%,西部数据(WDC)涨超1%,闪迪(SNDK)抹去盘初跌幅转涨,美光科技(MU)跌幅收窄至1%,此前一度大跌超3%。

SK海力士美股“首秀”

北京时间7月10日晚间,韩国存储芯片(886042)巨头sk海力士(SKHYV)正式登陆纳斯达克(NDAQ)sk海力士(SKHYV)ADR预示开盘价或为180美元/股,发行价为149美元/ADR。

根据安排,周五盘中以临时代码SKHYV开展预发行交易,下周一正式切换常规代码SKHY。

本次发行价定为149美元/ADR,较定价时韩国普通股折算价值高约3%,发行规模约1.779亿份ADR,融资约265亿美元。每10份ADR对应1股韩国普通股,初始ADR规模约占公司总股本2.5%。

根据华尔街机构的观点,sk海力士(SKHYV)ADR相较韩股普通股存在溢价的主要原因包括:

1.美股初始流通筹码有限,本次发售股份仅占公司总市值不到3%,且韩国普通股转换为ADR存在一定流程约束,短期内套利供给可能不足;

2.美国投资者对于美元计价资产、美股交易时段以及ETF、期权等衍生品工具接受度更高,有望带来新增资金需求;

3.若存储周期(883436)继续维持强势、sk海力士(SKHYV)ADR被纳入美国指数或交易所交易基金(ETF),溢价存在进一步扩大的空间。

从公司基本面来看,sk海力士(SKHYV)相较于美光科技(MU)的优势可以用一句话概括:规模更大、估值更低,而且与全球AI总龙头英伟达(NVDA)的关系更紧密。

另外,sk海力士(SKHYV)在高带宽内存(HBM)领域占据主导地位。HBM是用于AI服务器的先进硬件。据Counterpoint Research数据,今年第一季度,sk海力士(SKHYV)拿下了58%的HBM市场份额,而美光和三星各占21%。

Mahoney资产管理公司首席执行官肯.马奥尼表示,sk海力士(SKHYV)在生产规模和技术成熟度上占据优势。

根据FactSet的数据,海力士的估值仍比美光科技(MU)更便宜:其预期市盈率为5.4倍,而美光科技(MU)为6.7倍,且市场预期sk海力士(SKHYV)今年的营收和盈利增速将高于美光科技(MU)

因此,美国投资者或将部分折价视为入场机会,从而推高sk海力士(SKHYV)ADR相对韩股普通股的溢价。

后续sk海力士(SKHYV)ADR的走势将面临以下4个关键催化:

1.上市后约两个交易日期权交易可能开放,将进一步丰富交易工具,但尚待交易所确认;

2.7月13日前后,杠杆ETF上线可能提升成交活跃度;

3.7月29日新增普通股在韩国上市后,ADR转换机制更加完整;

4.9月若符合IPO快速纳入条件,可能进入半导体(881121)相关指数。未来纳入半导体ETF(159325),可能带来被动资金配置。

未来的风险点

短期看,sk海力士(SKHYV)赴美上市后的交易重点是观察ADR相对韩国股价的溢价水平;中期看,市场更关注AI时代下,sk海力士(SKHYV)能否凭借HBM龙头地位获得接近美股半导体(881121)公司的估值体系。

尽管目前AI需求强劲,但存储行业固有的周期(883436)性仍是投资者需要权衡的风险变量。

晨星(MORN)分析师Jing Jie Yu警告称,随着大规模供应将在2027年和2028年逐步恢复,存储市场供需关系应该会得到极大改善,从而削弱存储器厂商的定价权,并可能带来周期(883436)性转变。

事实上,sk海力士(SKHYV)此次美国存托凭证的发行计划正是为两个关键扩产项目提供资金:sk海力士(SKHYV)已经宣布,此次募资将全部用于龙仁晶圆厂与美国封装基地建设。

Jing Jie Yu表示,上述两大项目中,其中一个将在2027年上半年投产,仅这一个晶圆厂就能使sk海力士(SKHYV)的总产能到2030年比现在提升约60%。

他表示,“我们的基本预期是,即将投产的龙仁晶圆厂,加上未来两年三星电子、美光科技(MU)以及中国厂商的产能扩张,将显著改善供需关系。这可能会削弱存储器厂商的定价权。”

他警告称,这甚至可能会导致整个行业进入周期(883436)性低迷期。

投资机构Futurum Equities首席市场策略师Shay Boloor表示,sk海力士(SKHYV)是“HBM稀缺持续超预期的最大受益者”,但若内存周期(883436)最终反转,其下行风险同样不容忽视——而这一反转可能最早要到2028年才会出现。

REX Financial董事总经理Bill Birmingham则建议投资者重点关注2027年的合同定价走势,以判断需求的持续性。

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