7月10日，韩国存储巨头sk海力士（SKHYV）美国存托凭证(ADR)正式登陆纳斯达克（NDAQ），临时代码为“SKHYV”，
13日起转为常规模式交易，股票代码将变更为“SKHY”。
在经过2个多小时现场竞价后，盘前报价180美元/ADR，最终开盘报170美元/ADR，涨约14.09%。
截至发稿，sk海力士（SKHYV）涨逾18%，报176.410美元。
7月9日，sk海力士（SKHYV）完成ADR发行，发行价确定为每份ADR149美元，共发行1.779亿份ADR(对应1779万股普通股，每10份ADR对应1股普通股)，募集资金约265亿美元，创下外国企业赴美上市融资规模历史纪录。
据媒体报道，本次发行获得超过7倍认购，显示国际投资者认购热情高涨。
sk海力士（SKHYV）普通股此前一直在韩国交易所(KRX KOSPI)挂牌交易。今年以来，sk海力士（SKHYV）股价表现强劲，其韩国上市普通股累计涨幅已超过200%。
招股书显示，sk海力士（SKHYV）是全球领先的存储半导体（881121）企业之一，主要从事DRAM、NAND Flash等存储芯片（886042）的设计、制造和销售，产品广泛应用于个人电脑、服务器、智能手机、平板电脑、显卡以及其他消费电子（881124）产品。
根据IDC统计，以2026年第一季度收入计算，sk海力士（SKHYV）在全球DRAM(包含HBM)市场占有率为29.1%，位居全球第二；在HBM市场占有率达到56.4%，排名全球第一；在NAND Flash市场占有率为18.5%，位列全球第二。
根据招股书，近年sk海力士（SKHYV）持续推进高密度DRAM、NAND Flash、SSD等产品研发，并不断扩大HBM产品供应。公司在招股书中表示，HBM具有高带宽、低功耗等特点，目前已广泛应用于GPU、高性能计算、数据中心等领域，已成为公司重点发展的产品线之一。
市场人士认为，此次登陆纳斯达克（NDAQ），将进一步提升sk海力士（SKHYV）在国际资本市场的知名度和股票流动性，同时有助于公司拓宽融资渠道，为后续产能扩张、先进制程和技术研发提供资金支持。
