产替代新突破：宇泉半导体推出SST专用碳化硅模块，创新工艺助力SST耐久可靠性利好

在半导体（881121）国产化的浪潮中，真正的突破不仅在于“有”，更在于“优”与“稳”。今日，宇泉半导体（881121）正式宣布，其自主研发的SST专用碳化硅模块成功问世并进入量产阶段，该模块针对新型电力系统、AI数据中心、交通电气化及零碳建筑等大功率、高频应用场景深度优化，尤其在耐久性与可靠性上实现了质的飞跃，为国产高端功率半导体（881121）器件再添新彩。

多样化配套方案，满足系统级需求

宇泉半导体（881121）此次推出的SST专用碳化硅模块，标志着国产功率模块在高端工业领域的工艺成熟度迈上了新台阶。它不仅是芯片级的国产化，更是封装工艺与材料科学的深度自主化。该系列化模块支持半桥与全桥拓扑，电压等级涵盖1200V-2300V，具备优异的静态和动态特性：在150°C结温条件下，导通电阻RDS(on)仅为4mΩ，低开关损耗控制，直接降低了SST(尤其是DAB拓扑)频繁功率变换的核心损耗，减轻散热负担和成本。同时，宇泉半导体（881121）可为SST客户提供从功率模块的性能与可靠性验证、应用解决方案开发(含拓扑选型、驱动设计、散热优化)，到联合研发及供应链质量保障等全维度支持。

相较于进口同类产品，该模块在保持性能对标的同时，通过本土供应链与工艺优化，具备了更优的性价比与交付周期（883436）。尤其针对SST应用的SiC长期可靠性挑战，宇泉半导体（881121）提供了更具韧性的全链条的安全保障。

多维热-电协同设计，为SST可靠赋能

为应对SST高频开关带来的电压尖峰和振荡，以及高功率密度带来的热应力，该模块不仅采用了高性能基板(氮化硅AMB)，还通过升级外壳材料,优化芯片Layout布局,最大限度降低寄生参数，为SiC芯片提供更好散热路径，使其能够承受剧烈温度循环与功率冲击，保证模块实现高温稳定运行与高频开关能力双突破，赋能SST能效跃升。

精进封装技术，打造最优系统耐用性

模块的封装连接技术是SST稳定运行、保证供电连续性的基石，更直接关乎整机的使用寿命。宇泉半导体（881121）从底层工艺入手，创新地采用PIN针超声焊技术，从系统上重构模块高可靠性：相较于传统锡焊，超声焊技术为PIN针提供“永久性”的牢固连接，避免了界面疲劳损伤，提供极高的连接强度(推拉力通常可达392N以上)的同时，也带来更低的接触电阻和热阻，使模块能承受大电流、恶劣的振动和热循环冲击，助力实现更长的使用寿命，以及更出色的耐高温性能。此外，绿色环保的工艺，为下游客户的出口与合规性扫清了障碍。

技术的价值在于落地，工艺的精髓在于坚守。宇泉半导体（881121）SST专用国产碳化硅模块的问世，是宇泉半导体（881121）向市场交出的一份关于“耐久与信赖”的答卷。未来，宇泉半导体（881121）将持续深耕高压、高频、高可靠性SiC功率模块产品，以更可靠的封装技术，助力中国“芯”在能源（850101）电子领域行稳致远。