存储“双雄”拟签9500亿美元大单!日韩股市集体收涨,美股存储股夜盘走高

2026-07-27 14:47:02
来源:财闻
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问财摘要

1、7月27日,美股三大期指继续走高,存储概念夜盘走高,日韩股市集体收涨。 2、三星电子和博通公司签署了一份谅解备忘录,就代工合作达成协议,将在未来五年内供应价值2000亿美元的先进存储半导体,并生产人工智能芯片。SK集团决定在未来五年内,与包括英伟达(NVDA.US)在内的全球大型科技公司开展总价值7500亿美元的先进存储半导体长期供应合作。
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7月27日,美股三大期指继续走高,纳指期货涨1.6%,标普500(SPX)指数期货涨近1%,存储概念夜盘走高,SK海力士(SKHY)(SKHY.US)涨近6%,美光、闪迪(SNDK)(SNDK.US)涨超4%。

当日,日经225(N225)指数收涨0.50%,报64931.19点。韩国综指收涨0.97%,报6755.74点。个股方面,SK海力士(SKHY)收涨超3%,三星上涨2%。

据澎湃新闻报道,韩国总统政策办公室主任金容范在新闻发布会上宣布,三星电子和博通(AVGO)公司签署了一份谅解备忘录,就代工合作达成协议,将在未来五年内供应价值2000亿美元的先进存储半导体(881121),并生产人工智能(885728)芯片。SK集团决定在未来五年内,与包括英伟达(NVDA)(NVDA.US)在内的全球大型科技公司开展总价值7500亿美元的先进存储半导体(881121)长期供应合作。数据中心合作也将启动。

存储芯片(886042)以DRAM与NAND闪存为“双支柱”,占据全球存储市场绝大多数份额。行业呈现显著的头部集中特征,三星、SK海力士(SKHY)与美光等头部原厂掌握绝对定价权。

在技术端,DRAM升级呈现接口标准、制程节点与先进封装(886009)协同演进的特征,DDR5带宽提升与HBM4高位宽、高通(QCOM)(QCOM.US)道数迭代共同推动面向AI和高性能计算的高带宽存储加速发展。NAND Flash则聚焦于存储密度提升,技术路径主要包括3D堆叠层数向300层以上演进。半导体(881121)存储产业链呈现"上游高度集中、中游生态多元、下游需求驱动"的格局,国内企业主要集中在Fabless与模组环节。

天风证券(601162)指出,本轮存储景气改善并非单一终端补库驱动,而是需求结构变化、供给扩张趋于理性以及产业链库存周期(883436)修复共同作用的结果。随着AI算力建设持续推进,高端存储需求的重要性进一步提升,行业供需格局有望逐步改善。在需求结构升级与供给约束仍存的背景下,存储价格和产业链盈利能力有望保持较好韧性,行业景气度或延续修复趋势。建议关注存储模组、存储主控芯片、封测及上游设备材料等方向。

A股方面,备受关注的DRAM龙头长鑫科技(688825)将登陆科创板,发行价8.66元/股,发行市值逾5790亿元,预计募集资金总额约579亿元(超额配售选择权全额行使前),为科创板迄今规模第一大IPO。截至上午收盘,N长鑫(688825.SH)上涨531.06%,报54.65元/股,总市值3.655万亿元,在A股排名第一,接连超过美股英特尔(INTC)(INTC.US)7月24日收盘市值4656亿美元(约合人民币3.15万亿元)及腾讯的5003.1亿美元(约合人民币3.39万亿),在全球市值排行榜上居第24位。按发行价8.66元/股计算,长鑫科技(688825)中一签浮盈超2万元。

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