忆联公布 UH812c / UH832c 企业级固态硬盘:NAND 升级,12GB/s 顺序写入

2026-07-29 19:02:10
来源:IT之家
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问财摘要

1、忆联公布PCIe Gen5企业级固态硬盘新品UH812c/UH832c,采用新款NAND闪存存储介质并进行深度调优,相较此前推出的UH812a系列顺序写入提升14%、随机写入提升20%,4KB随机读取时延低至52μs。 2、UH812c/UH832c基于3D eTLC和忆联自研主控、自主固件,采用PCIe Gen5×4接口,符合NVMe2.0协议,支持U.2与EDSFF E3.S1T外形规格,最大容量为16TB级。 3、支持NVMe-MI1.2b带外管理、端到端(E2E)数据保护、数据安全擦除、Sanitize、256K原子写入等特性。
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IT之家7月29日消息,忆联(Union Memory)近日公布了其PCIe Gen5企业级固态硬盘新品UH812c/UH832c,UH812c为1DWPD寿命型号、UH832c则拥有3DWPD。

这两款产品采用新款NAND闪存存储介质并进行深度调优,相较此前推出的UH812a系列顺序写入提升14%、随机写入提升20%,4KB随机读取时延低至52μs。

UH812c/UH832c基于3D eTLC和忆联自研主控、自主固件,采用PCIe Gen5×4接口,符合NVMe2.0协议,支持U.2与EDSFF E3.S1T外形规格,最大容量为16TB级。

UH812c/UH832c均支持至高14.9GB/s的顺序写入速率和至高12GB/s的顺序读取速率,其中UH832c随机读写速率至高可达3500K IOPS和1100K IOPS;4KB QD1顺序读写时延为7μs/6μs、4KB QD1随机写入时延也都是6μs;闲置功耗≤5W,整盘峰值功耗≤25W,顺序读取峰值功耗≤18W。

其支持NVMe-MI1.2b带外管理、端到端(E2E)数据保护、数据安全(885942)擦除、Sanitize、256K原子写入等特性;内置智能多流、TRIM、智能预读与命名空间流控;支持延时统计+慢I/O监控;支持固件在线升级;集成带外状态监控与资产管理。

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