7月30日，据财闻海外资讯，为承接人工智能（885728）（AI）芯片爆发式需求，三星电子计划于2026年末，在美国得克萨斯州泰勒市启动第二座晶圆代工（芯片委托制造）工厂施工，目标2030年正式量产。公司一边扩充先进制程产能，一边预判存储芯片（886042）供需紧缺将长期持续，正和全球头部数据中心、AI企业扩大长期供货协议（LTA）合作，全面落地中长期增长战略。
三星电子在30日举办的二季度业绩电话会上坦言：当前先进制程晶圆代工产能扩建速度无法匹配市场需求；美国泰勒1号工厂正按既定计划筹备2026年投产，投产后将分阶段扩增2纳米工艺产能。
公司补充：为及时承接持续上涨的客户订单，泰勒2号工厂已敲定年末动工、2030年量产的规划；伴随客户对1.4纳米工艺咨询量激增，三星还在评估新建更多晶圆厂的方案。
HBM下半年放量冲刺，目标份额对标DRAM，下半年新一代HBM4（第六代高带宽内存）将大规模供货，三星将与SK海力士（SKHY）正面角逐HBM市场主导权。
三星预测：2026年第三季度HBM4营收环比增长3倍以上；下半年HBM4营收占全部HBM收入比重超60%。公司定下目标：下半年将HBM全球市场份额提升至和DRAM持平的水平；2026年一季度三星DRAM全球市占率约38%。
