IT之家8月14日消息，据科技媒体Wccftech今天报道，三星将重新规划一座正在建设中的生产线，用于制造HBM(高带宽内存)的基础裸片(Base Die)。
据业内人士消息，三星的这条生产线将采用2nm尖端制程工艺，预计将在两年后投入使用，因此未来仍存在调整的可能性。
HBM的基础裸片一直在不断升级，首次出现重大变化是在HBM3和HBM3E时代。随着数据传输速率相比前几代产品大幅提升，各大厂商开始使用晶圆代工厂的制程工艺制造基础裸片，采用20nm到12nm不等的逻辑制程。
而 HBM4由于采用了性能更强的总线和更多硅通孔(IT之家注：TSV)，基础裸片将进一步升级，台积电（TSM）和三星晶圆代工等厂商开始承担HBM基础裸片的制造工作。
除了三星之外，SK海力士（SKHY）也将与晶圆代工厂合作生产HBM芯片。该公司已经与台积电（TSM）展开合作，后者可以提供成熟的N12工艺以及先进的N5工艺，用于制造HBM相关芯片。
