IT之家8月19日消息，韩媒the bell在其当地时间8月13日发布的文章中表示，根据业内人士的透露，三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，2026年12月进入量产转移阶段，2027H1启动生产线建设，有望2027年底实现首批量产。
SK 海力士此前在业界率先完成1c nm节点DRAM开发，三星电子试图在1d nm阶段重夺“技术领先”桂冠。另一方面，三星电子已定下为HBM5E内存导入1d nm DRAM Die的目标，提早完成底层技术构建可为后续HBM的推出打下坚实基础。
与此同时，SK海力士（SKHY）的1d nm DRAM目前处于热测试良率提升阶段，预计2026年12月完成研发。
不过，三星电子和SK海力士（SKHY）的1d nm DRAM技术目前仍处于较早期阶段，整体产品完成度离量产目标仍有很大的待优化空间。
