8月28日，日韩股市双双低开。日经225（N225）指数开盘下跌0.04%，报66104.49点；韩国综合指数（KS11）开盘下跌0.95%，报6846.54点。三大存储芯片（886042）巨头开盘下跌，铠侠跌1.39%，三星电子跌1.32%、SK海力士（SKHY）跌1.89%。
截至发稿时，日经225（N225）指数拉升转涨，上涨0.28%，报66317.48点。铠侠跌幅扩大至跌超2%。
8月27日，铠侠发布消息称，计划在日本北部建设一座新的芯片制造工厂，以满足不断增长的人工智能（885728）相关存储需求。公司将在北上工厂的厂区内建设公司的第三座工厂“Fab3”，Fab3将建于Fab2南侧，预计将于2029财年投入运营。铠侠表示，Fab3将量产公司的先进3D闪存“BiCS FLASH”，这类NAND型闪存主要在数据中心中用于处理AI服务产生的海量工作负载。在智能体人工智能（885728）、物理人工智能（885728）和设备端人工智能（885728）的驱动下，闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。
另外，财闻海外资讯援引韩联社报道，8月27日，SK海力士（SKHY）在美国印第安纳州举行先进存储封装工厂奠基仪式。该项目投资超过40亿美元，占地约133.5英亩，将成为SK海力士（SKHY）在美国首个高带宽存储器（HBM）封装基地，目标是在2028年10月完成洁净室建设，并在次年下半年实现量产，像英伟达（NVDA）这样的本地科技巨头将采用SK海力士（SKHY）在美国生产的HBM产品。
在奠基仪式上，SK海力士（SKHY）首席执行官（总裁）郭陆表示，印第安纳州工厂的年HBM产量将达到数十万台。印第安纳州项目旨在建立美国首个HBM生产基地。它不仅将成为“美国制造HBM”的首个核心供应枢纽，还将成为加强美国半导体（881121）供应链、促进经济和安全利益的重要基础。
隔夜美股三大指数全线上涨，大型科技股多数上涨，英伟达（NVDA）大涨逾8%、单日市值增加约4420亿美元，特斯拉（TSLA）涨逾2%，微软（MSFT）涨逾1%，亚马逊（AMZN）跌逾1%。费城半导体（SOX）指数涨逾2%，credo technology（CRDO）涨逾6%，英特尔（INTC）等涨逾4%。存储股涨跌不一，SK海力士（SKHY）美股ADR涨逾2%，美光科技（MU）、闪迪（SNDK）均下跌。
