9月1日，据财闻海外资讯，在SEMICON Taiwan 2026存储器高管峰会上，三星电子DS事业部存储器业务部产品企划团队长崔长锡常务发布CUBE战略，涵盖Capacity（容量）、Utilization（利用率/优化）、Bandwidth（BAND）（带宽）与Efficiency（功耗与散热效率）四大方向。
容量提升方面，将HBM垂直堆叠在GPU上方，摆脱PCB电路板面积约束；优化逻辑-存储器布局方面，下一代HBM5基底裸片将采用2nm代工工艺制造，消除数据处理时延；带宽方面，下一代zHBM将搭载混合铜键合HCB与多晶圆键合技术，打造“垂直高速通路”；功耗与散热方面，缩短传输距离降低功耗，最大化每瓦性能。
目标上，HBM5相对HBM4E性能提升2倍、每瓦性能提升20%、热阻下降20%，并引入HPB热通路块。正在开发的zHBM目标相对HBM4E性能提升8倍、每瓦性能提升3倍、热阻降低75%-90%。同时开发下一代闪存zNAND-O，借助硅通孔TSV技术实现V-NAND垂直堆叠，面向端侧设备优化。其比特密度达DRAM的10倍，读取带宽与功耗效率相对传统NAND闪存提升7倍。三星计划2028年推出zNAND-O样品。
此外，今年二季度三星DRAM与NAND闪存营收市占率分别以39%与29.3%重回全球第一。
