人工智能（885728）(AI)算力需求持续升温，推动全球高带宽内存(HBM)市场上演一场激烈的“抢货大战”。
韩国《首尔经济日报》8月31日报道称，AI带来的HBM需求日益增长，致使三星电子已将2031年前的约70%内存产能分配给长期供应协议(LTA)订单，客户包括英伟达（NVDA）、微软（MSFT）、谷歌（GOOG）等全球科技巨头。
但即便签了长期合同，大型科技企业也未必能拿到足量HBM，现货市场价格则因此持续飙升。
韩国贸易协会数据显示，用于生产HBM、低功耗双倍数据速率(LPDDR)等AI芯片的DRAM出口量，从今年5月约6.82亿颗降至7月约5.92亿颗，减少13.2%；但同期出口额却从114.28亿美元增至135.52亿美元，增长18.5%，出口单价更是从16.76美元上涨至22.9美元，涨幅达到36.6%。
HBM由多层DRAM(动态随机存取存储器)芯片堆叠封装而成。随着行业从HBM3E向HBM4升级，单个HBM模块需要堆叠更多DRAM芯片，加之HBM4目前仍处于量产初期、生产良率相对较低，生产同样数量的HBM需要消耗更多DRAM，本就挤压了普通DRAM产品的供应。
韩国半导体（881121）行业协会执行副会长安基贤表示，HBM升级到最新版本后，生产良率往往会下降，而HBM4价格约为上一代产品的两倍。存储厂商在扩大产量的过程中，需要投入更多DRAM，最终导致整体DRAM出口数量减少。
《首尔经济日报》称，供不应求之下，三星电子和SK海力士（SKHY）正将销售模式转向以长期供应协议为主。业内消息透露，三星电子存储业务部门已经将截至2031年的约70%产能分配给LTA订单，主要客户是英伟达（NVDA）、微软（MSFT）、谷歌（GOOG）等AI巨头。
然而，即便是这些大型科技企业，也因HBM争夺战过于激烈，无法获得全部合同约定的供应量，导致现货价格进一步飙升。
存储市场研究机构MegaGrid Supply研究显示，HBM3E36GB产品目前现货价格约为2100美元，而长期供应协议价格据悉仅为50万至70万韩元(100韩元约合0.49元人民币)，前者是后者的约4至5倍。
HBM4的价格更加惊人。目前正在协调量产的16层HBM4产品，如果通过现货市场采购，价格约为3500美元。
不过，调研机构群智咨询(Sigmaintell)发布的存储价格风向标显示，2026年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM、NAND Flash(闪存)全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片（886042）的环比涨幅已收窄到10%以内。
为了缓解供应压力，三星电子和SK海力士（SKHY）也在加速扩产。三星电子半导体（881121）部门正在考虑将平泽园区唯一的晶圆代工生产线S5最早从明年开始改造成存储芯片（886042）生产设施。
SK海力士（SKHY）则在扩大韩国龙仁、湖南地区生产基地的同时，据悉还在研究与日本企业建设合资工厂的可能性。业内尤其关注其是否会进一步扩大与日本NAND闪存龙头铠侠的合作，以提升其在全球存储供应链中的影响力。
短期来看，HBM供不应求的局面仍难以改变，存储芯片（886042）价格上涨预计也将继续转化为三星电子和SK海力士（SKHY）的业绩增长。
安基贤认为，要真正解决半导体（881121）供应短缺，仍需要建设更多制造工厂。但即使新工厂按照计划投产，也很难彻底消除HBM等存储芯片（886042）的“抢货”现象，更多只能起到缓解供应紧张的作用。
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