9月8日，据财闻海外资讯，受高带宽内存需求高涨及供给紧缺影响，据报道，三星电子4nm工艺目前处于满产状态，自上月起已有50%至60%的4nm代工产能被分配用于生产HBM4基础裸片。三星在平泽2号、3号园区工厂动用S5、S6代工产线量产4nm-7nm工艺产品，该厂区4nm总月产能为3万片晶圆，其中1.5万片用于生产HBM4基础裸片。
HBM堆叠结构中，底层基础裸片采用逻辑芯片工艺生产，对工艺要求随存储技术迭代持续提升。三星凭借同时自研DRAM存储芯片（886042）与基础裸片的独特优势，采用自研工艺生产该裸片。
此外，8月曾有报道指出，三星还在考虑将2nm工艺用于HBM基础裸片，计划改造器兴工业区的一条产线，2nm工艺的HBM基础裸片或将专门供给AI芯片巨头英伟达（NVDA）（NVDA.US）。
