9月7日，碳化硅前沿技术分享暨成果发布会在上海举办，同创伟业被投企业瑶芯微电子联合中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队，以及芯联集成（688469），正式发布全球首款碳化硅（SiC）超级结MOSFET量产产品。该成果历经五年产学研联合攻关，成功突破全球技术瓶颈，标志着我国碳化硅产业正式从"跟随对标"迈入"原创突破"的新阶段。
碳化硅功率器件是新能源汽车（885431）、数据中心、光伏储能（885921）等领域的核心芯片，全球市场规模即将迈入百亿美元级别。目前，全球市场长期由海外企业垄断，而下一代超级结技术因工艺难度极高，多年来始终停留在实验室阶段，产业化难题始终未被攻克。
本次研发团队攻克了理论模型适配、电场分布协同、精密工艺制造三大世界性难题，创新采用高能离子注入、多层精准外延等核心工艺，突破传统器件性能局限。实测数据显示，该产品实现1635V超高耐压，高温、常温导通电阻大幅优化，高温电流密度较国际顶级水平提升166%，功率密度提升81%，逼近碳化硅材料一维物理极限，同时解决了器件高温性能漂移难题。
相较于传统碳化硅器件，全新超级结产品可实现系统级技术革新，既能适配新能源汽车（885431）、AI服务器高压供电场景，也为高压电网装备应用奠定基础。依托8英寸量产工艺，产品芯片面积更小、成本更低，性价比优势显著。
业内专家表示，该产品是全球首个完成产业化验证的碳化硅超级结器件。目前，该产品已瞄准高端数据中心、AI电源等高端市场，将进一步助力我国半导体（881121）产业自主可控发展。
