三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

9月8日，三星电子与阿斯麦（ASML）（ASML.US）宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦（ASML）高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工（850102）艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。