IT之家9月14日消息，杭州镓仁半导体（881121）有限公司宣布，基于自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，全球首次实现12英寸氧化镓晶体等径生长。
▲ 镓仁半导体12英寸氧化镓晶体
据介绍，等径生长是晶体走向产业化的重要一步。只有形成直径恒定的等径段，晶锭才具备连续稳定、可直接用于切磨加工的有效部分。等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片越多，单片衬底的成本就越低。
同时，12英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高，可大幅降低下游的设备投资和产线切换成本，缩短研发周期（883436）。
IT之家注意到，今年3月，镓仁半导体（881121）实现全球首次8英寸氧化镓同质外延生长，相关成果通过国内外第三方机构权威认证。
官方表示，镓仁半导体（881121）自研的SCIENCE系列VB法长晶设备温控精度达±0.1℃，具备“设备+工艺包”一体化能力，实现了从2英寸到12英寸晶体的快速迭代。
