IT之家9月14日消息，韩媒THE ELEC当地时间本月14日报道称，三星电机(SEM)正与高通（QCOM）合作开发面向AI半导体（881121）芯片的2.1D先进封装（886009），双方在该异构集成技术平台上已进行了超一年的研发与认证。
据悉两家企业的2.1D封装采用了嵌入式有机桥片。其设计思路类似英特尔（INTC）的EMIB，但以更平价的有机材料取代EMIB中的硅桥片。此举一方面可降低制造成本，也可规避英特尔（INTC）持有的EMIB专利。
三星电机尝试的有机桥片可视为以RDL(重布线层)工艺形成5~7层微电路的小型衬底，目标实现1.5~2μm的线宽/间距、4~5μm的通孔尺寸、500~1000/mm的图案密度。
与传统FC-BGA的堆叠式电路相比，有机桥片能够实现更精细的布线，从而带来更高的I/O带宽。
