9月15日,据韩媒引述业内人士消息称,在定制化高带宽内存时代,三星电子为其高带宽内存(HBM)提供基础芯片的战略预计将发生重大变化。该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产,而是采取“双轨制程”战略,即同时采用基于台积电(TSM)工艺的基础芯片。
从今年开始量产HBM4开始,三星电子和SK海力士(SKHY)已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。与DRAM工艺相比,代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中,从而提升性能和能效。
9月15日,据韩媒引述业内人士消息称,在定制化高带宽内存时代,三星电子为其高带宽内存(HBM)提供基础芯片的战略预计将发生重大变化。该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产,而是采取“双轨制程”战略,即同时采用基于台积电(TSM)工艺的基础芯片。
从今年开始量产HBM4开始,三星电子和SK海力士(SKHY)已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。与DRAM工艺相比,代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中,从而提升性能和能效。