IT之家9月15日消息，韩媒ZDNET Korea当地时间今日报道称，三星电子存储器业务正推动其HBM内存基础裸片(Base Die)供应的双轨化，部分基础裸片将交由台积电（TSM）生产。
消息人士表示，已有客户在芯片设计中导入三星电子DRAM Die+台积电（TSM）Base Die的HBM堆栈方案。
三星电子存储器业务的HBM4Base Die由三星电子内部的系统LSI业务设计、晶圆代工业务制造，形成内部“全集成”模式。
不过，HBM正转向定制化，Base Die将从主处理器卸载更多功能、电路。客户的规格需求、方案喜好决定了定制HBM堆栈的最终设计。三星电子存储器业务仅凭自家“全集成”方案无法满足所有客户，与外部晶圆代工企业合作能扩大销售规模。
据悉三星电子存储器业务已从系统LSI业务招募了部分芯片设计人才。如果客户选择三星电子Base Die方案，则仍按照“全集成”模式进行；如果客户选择台积电（TSM）Base Die，那存储器业务将承担Base Die设计责任。
