IT之家9月22日消息，韩媒MONEYTODAY当地时间昨日报道称，三星电子的晶圆代工业务正考虑新建4nm与2nm生产线，以扩大这两个制程节点上的制造能力，应对HBM内存对先进基础裸片(Base Die)的旺盛需求。
▲ 三星晶圆代工SF4
标准产品方面，三星电子存储器业务已确认将在HBM4(E)世代使用4nm Base Die，而其HBM5内存则将升级到2nm Base Die。而对于定制HBM，其Base Die将从主芯片卸载功能电路，对工艺也有很高要求。
▲ 三星晶圆代工SF2
此前消息指出，三星晶圆代工已将半数4nm产能用于HBM4Base Die的生产，而4nm Base Die的需求将随着存储器业务HBM4出货的进一步加速再度提升。NVDIA Groq3等AI芯片也正持续扩产。
而在2nm方面，三星电子移动体验业务计划为更多Galaxy S/Z手机导入系统LSI业务设计的Exynos处理器，这也需求更大产能；另一方面，三星晶圆代工也接获了特斯拉（TSLA）等重要客户的订单。
