IT之家10月18日消息，据首尔经济日报今日报道，三星电子将采用全球最大晶圆代工厂台积电（TSM）的制造工艺，生产英伟达（NVDA）下一代定制高带宽内存(HBM)的核心组件——基底裸片(base die)。在此之前，三星供应的所有HBM产品中，作为存储芯片（886042）的核心裸片(core die)与充当系统半导体（881121）的基底裸片，均由三星自主生产。如今三星决定接受英伟达（NVDA）的技术要求，调整HBM的一站式全包制造模式。
业内消息人士18日称，英伟达（NVDA）已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（SKHY）(000660.KS)和美光提出要求：使用台积电（TSM）3纳米工艺制造基底裸片。英伟达（NVDA）同时要求，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达（NVDA）在8月发布的定制版高带宽内存。
IT之家从报道获悉，英伟达（NVDA）提出这一要求，是因为各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能。标准化也能减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部(Device Solutions)经过内部评估，决定接受英伟达（NVDA）的要求。
报道提到，对于标准HBM产品，三星仍会保留一站式全包生产策略。今年三星全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证；这两款产品的基底裸片都采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。
面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案。同时三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性。一位业内人士表示：“三星正在验证，能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片。这是一项预案，防止NVHBM需求超出台积电（TSM）产能上限。”
