三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

10月19日消息，三星电子计划采用台积电（TSM）的3纳米工艺生产英伟达（NVDA）的下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。据悉，英伟达（NVDA）希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK海力士（SKHY）和美光在NVHBM的基底裸片生产中采用台积电（TSM）的3纳米工艺。此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电（TSM）展开合作。