10月19日，据财闻海外资讯，三星电子在开发英伟达（NVDA）(NVDA.US)的下一代定制高带宽内存(HBM)时，决定使用台积电（TSM）(TSM.US)的工艺生产基础芯片(核心部件)。
英伟达（NVDA）要求三星电子、SK海力士（SKHY）和美光科技（MU）(MU.US)(今年8月推出的定制HBM)生产NVHBM的供应商，在台积电（TSM）的3纳米工艺上制造基础芯片，并在第六代DRAM工艺上标准化核心芯片(1c)，因为供应商之间的制造方法不一致，很难一致地提供设计性能。
这是三星电子首次在HBM制造阶段而非封装阶段与台积电（TSM）合作，标志着三星电子改变了内部生产核心芯片和基础芯片的交钥匙方式。三星电子计划坚持其标准HBM产品和为AMD等其他客户定制HBM的统包战略，并表示还在测试使用自己的代工厂的可能性，以防NVHBM需求超过台积电（TSM）的产能。
